Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктурКНИГИ » АППАРАТУРА
Название: Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур Автор: Ковалев А.Н. Издательство: М.: МИСиС Год: 2011 Формат: pdf Страниц: 364 Размер: 31 mb Язык: Русский
Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники — биполярных и полевых транзисторов — в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники — гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3...1,5 мкм.
Навигация
Вход на сайт
Реклама
Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур 
