Интегральные микросхемы энергонезависимой памяти 28F008SA, 28F008SA-LКНИГИ » ТЕХНИКА
Название: Интегральные микросхемы энергонезависимой памяти 28F008SA, 28F008SA-L Автор: В. В. Затишной Издательство: М.: Бином, Конкорд Год: 1992 Страниц: 80 Язык: русский Формат: pdf, djvu Размер: 10.2 Мб
Книга посвящена микросхемам энергонезависимой памяти. Новые изделия флэш-памяти имеют однотранзисторную ячейку с двухслойным поликремниевым затвором. Ячейка флэш-памяти, изготовленная по технологии ЕТОХIII, выдерживает не менее 100000 циклов записи/стирания. С целью дальнейшего расширения жизненного цикла в новых разработках флэш-памяти реализована блочная структура накопителя, стирание производится во всех ячейках блока одновременно за счёт туннелирования электронов через окисел в затвор. Для записи байта данных, как и в ППЗУ с ультрафиолетовым стиранием; используется инжекция горячих электронов. Новые изделия флэш-памяти по быстродействию и стоимости приближаются к динамическим ОЗУ, сохраняя существенное преимущество - энергонезависимость. Подробно описаны микросхемы РПЗУ с электрическим стиранием информации 28FOO8SA и 28FOO8SA-L фирмы Intel: КМОП технология, емкость 8 Мбит с организацией 1М х 8, время выборки 85мс, минимум 100000 циклов репрограммирования.
Навигация
Вход на сайт
Реклама
Интегральные микросхемы энергонезависимой памяти 28F008SA, 28F008SA-L 
